Die kleinsten Strukturgr"ossen, die heute in der Fertigung von Silizium-Halbleiterbauelementen realisiert werden k"onnen, betragen nur noch 180 nm. F"ur das Jahr 2012 werden Abmessungen von nur noch 50 nm prognostiziert. F"ur diese Dimensionen werden dann physikalische Grenzen erreicht, sowohl in der Fertigung als auch im Betrieb der integrierten Schaltungen. Die Forschungsaktivit"aten konzentrieren sich daher auf die Schwerpunkte neuartige Bauelemente, neuartige Architektur und Logik und Fertigungsprozesse, wie z. B. die Nanotechnologie durch Selbstorganisation. Diese ``Bottom-up''-Methode (vom Kleinen zum Grossen) unterscheidet sich von der heute "ublichen Fertigung, die vom Grossen zum Kleinen geht (``Top-down''-Methode). Zwei Technologien werden vorgestellt, das Wachstum von einkristallinen Silizium-Strukturen mit Hilfe von Mikroschattenmasken und die Bildung von sogenannten Oberfl"achenphasen. In einem Ausblick werden m"ogliche Anwendungen dieser Technologien aufgezeigt.